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参数目录41741
> IRF6718L2TR1PBF MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
型号:
IRF6718L2TR1PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF6718L2TR1PBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet Circuit
DirectFET
特色产品
IRF6718 DirectFET? MOSFET
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
0.7 毫欧 @ 61A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.35V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
96nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6500pF @ 13V
功率 - 最大
4.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET? 等距 L6
供应商设备封装
DIRECTFET L6
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRF6718L2TR1PBFCT
查看IRF6718L2TR1PBF代理商
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