型号:

IRF6718L2TR1PBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF6718L2TR1PBF PDF
产品目录绘图 IR Hexfet Circuit
DirectFET
特色产品 IRF6718 DirectFET? MOSFET
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 0.7 毫欧 @ 61A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.35V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 96nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6500pF @ 13V
功率 - 最大 4.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DirectFET? 等距 L6
供应商设备封装 DIRECTFET L6
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRF6718L2TR1PBFCT
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